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国产90纳米光刻机可以干什么？
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而目前市面上，最强的光刻机是ASML的7nm EUV光刻机，而且台积电、三星都在不断的加深技术的进步，甚至在往3nm，1nm等等不断突破摩尔定律的方向前进。
其实，上海微电子，现在SSX600系列步进扫描投影光刻机，使用的是四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
其实，上海微电子已经非常出色了。特别确实，前道光刻机、后道光刻机、制造LED/MEMS/功率器件的光刻机和制造TFT液晶屏的光刻技术都有研究，你看到这里就知道90nm光刻机的应用场景了。
特别是后道光刻机，国内占有率高达80%，大部分客户来自于世界上排名前十的封测大工厂。你以为的90nm没有任何用处，实际上上海微电子已经在某些领域做到了排头兵，特别是它已经在销售了，很多企业都在做实验，研究等等。
确实，中芯国际的N＋1方案可以媲美7nm工艺，可是离真正的7nm还是有一段距离。90nm虽然不能够完全符合我们对于光刻机的需求，可是你也不能忽略它的优势。
未来我们只要打破束缚，才可能真正的走上一条不一样的路。
国产90纳米光刻机可以干什么？国产90nm光刻机可以满足大部分芯片制造的需要，只是对于要求较高的诸如计算CPU、手机CPU等达不到需求。
并不是所有的芯片都需要如此小的先进工艺制程，即使是高nm工艺制程同样可以满足需要，比如传感器、电源芯片、人机接口芯片、视频芯片等等，90nm的光刻机几乎能够满足市面上一般种类的芯片要求，而不需要诸如14nm、7nm等这样先进制程的光刻机。即使如英特尔的计算机CPU，也是14nm为主流，追求10nm工艺。
追逐低nm工艺制程的主要是手机CPU。这源于手机性能和功能要求的越来越高越来越多，需要在一小块芯片上集成越来越多的晶体管来满足复杂而庞杂的运算。就如高通芯片、华为、三星、联发科等手机CPU都已经实现了7nm的工艺，甚至追求更小的工艺制程。
国产90nm光刻机并不只是能够用户90nm工艺制程，也可以应用于110nm、280nm工艺芯片，这可以扩大市场上更多种类芯片的生产。更有甚者诸如中芯国际、台积电等芯片制造厂家可以利用现有设备，通过制造技术改造或升级优化，可以在现有高nm工艺设备上实现更低nm芯片的制造。比如中芯国际通过研发出N+1、N+2技术，达到可以制造接近或类似7nm工艺的芯片。
虽然ASML的高端光刻机是我们需要的，但在求而不得的情况下，即使是90nm的光刻机也显得珍贵。在国内诸如上海微电子、合法芯硕半导体、无锡影幻半导体、中科院、武汉光电国家研究中心等共同的努力下，更先进的国产光刻机应该能够出现。
在工艺配合下，能生产出28nm的芯片的。
这意味着，一般的CPU（如龙芯、申威等用于军事、超算等领域的CPU都能解决）；
存贮芯片能够制造；
工控领域，不管是仿也好怎么地，一般所用8位、32位的MCU，嵌入式的系统的芯片能制造；
大多数服务器芯片（含CPU能制造）；
赛灵斯的中低端FPGA能仿出来，5G基站不会歇菜；
通过重新设计，5G基带的芯片能够解决，大不了由SOC的方式变成板卡方式；
99%的家用电器（不含手机）能够解决
…………
总之，有90nm的整个体系，我们至少比俄罗斯要好过。
感谢阅读，我是只说真话，从不瞎说的AI科技猿。
开篇点题，90nm现在是国内低端芯片的主要生产工艺，90nm光刻机依旧起着重要作用，高端光刻机依旧被国外垄断。
光刻机工作过程大概是：首先将像华为样的设计公司IC部门提供的麒麟芯片电路制作掩膜板，然后利用透镜将处理过的掩膜版上的电路图按比例缩小，最后用稳定的光源将其映射的硅片上。
别看过程不过百字，但这中间要求测量台移动是纳米级精度，光源稳定，掩膜板制作精度要十分精准，光源映射多次时光学误差要尽量小。光原和透镜有多难，ASML的透镜是进口德国的蔡司，光源进口美国的Cymer。即使ASML也要靠进口。
而由于技术封锁，我们很难从国外进口到如此高精尖的技术。
自从“中兴事件”只有，芯片和操作系统的落后被“缺芯少魂”概括。让大家自豪的最新华为麒麟990***用的是7nm EUV技术。同时，ASML扣押7nm光刻机的消息更是让国人愤慨。但作为国内芯片加工代表的中芯国际和华虹集团他们的工艺怎样？
我们以中芯国际为例，中芯国际的整个营收都集中在中低端工艺上。根据中芯国际的财报显示，90nm占了50%，如下图：
90nm工艺可以生产的芯片有很多，比如蓝牙芯片，电源管理芯片等。
九十纳米光刻机可以制造很多集成电路和分列器件的啊！譬如电视机用集成电路，大部分的数字电路模拟电路，和晶体管，MOS管，IGBT，二极管等等。但是九十纳米光刻机已经属于中高端光刻机列，做分列器件和二极管有些浪费***列啊😭。我们公司也是微电子上市公司，还在用一微米的佳能光刻机生产VDMOS器件。而且用一微米光刻机这些产品才有盈利，用九十纳米光刻机就得亏损列。这就好比侬用布加迪威龙，兰博基尼，玛莎拉蒂跑普通出租车就得亏死一个样。我们公司有250纳米技术但用来做分列器件就得亏，我们代工掩膜板也就是光刻板的设备只有一微米的设备是最满产的设备根本停不下来，毕竟用250纳米设备做低端光刻板就得亏损的。设备刚好满足使用要求就是最合理最赚钱的，别整天就知道要5纳米7纳米光刻机，真的给侬一百台这种顶级光刻机，估计一年就得亏损几百个亿也打不住。
中国的光刻机技术和荷兰的光刻机技术，关键点的区别到底在哪？
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你可能会这样对比：
所谓的nm意思是在芯片制造中，在它身上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。
上图中，芯片的电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，它的作用就是用来控制Source(源极)与Drain(漏级)的通断，而Gate(栅极)就是能够通过它的大小，控制电流的损耗，宽带如果很小，自然经过Gate的时间越短，损耗越小，处理器的功耗就越低！
比方是，Gate就像小兵，源级和漏级就像猛士，小兵越少，越容易通行！实际上，栅极的最小宽度(栅长)，就是X nm工艺中的数值。
未来，我们就是在不断的挑战摩尔定律，将不可能的栅长给控制的越来越低，这样才能够更好的将功耗给降低下来，性能给提升上来。
为什么荷兰可以做成7nm EUV的光刻机呢？这就要得益于荷兰的方式，ASML的一些巧妙的心思。
其实，荷兰ASML的生产模式，决定了，ASML就很难会被模仿光刻机。
光刻机有80000个零件，等等一些配件告诉我们，制造光刻机的不容易，荷兰ASML的聪明之处，让许多技术类企业都成了它的股东，技术能够共享，但是在我国很难！
确实很难，因为我们不会将三星，台积电等等成为我们的股东，并且所谓的制约我们的技术，也很难呗提供。
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